Ako popredný čínsky výrobca a dodávateľ výrobkov poťahovania kremíkových karbidov hrá na leptanie na leptanie na leptanie na leptanie v procese leptania s vynikajúcou stabilitou vysokej teploty, vynikajúcou odolnosťou proti korózii a vysokou tepelnou vodivosťou.
Základné použitie nosiča oblátok potiahnutých SIC na proces leptania
1. Gan filmový rast a leptanie vo výrobe LED
Nosiče potiahnuté SIC (ako napríklad nosič leptania PSS) sa používajú na podporu sférových substrátov (vzorovaný zafírový substrát, PSS) pri produkcii LED a vykonávajú chemické depozície pary (MOCVD) filmov nitridu gália (GAN) pri vysokých teplotách. Nosič sa potom odstráni procesom leptania mokrým, aby sa vytvorila povrchová mikroštruktúra, aby sa zlepšila účinnosť extrakcie svetla.
Kľúčová úloha: Oblátkový nosič musí odolať teplotám do 1600 ° C a chemickej korózii v prostredí leptania plazmy. Vysoká čistota (99,9995%) a hustota povlaku SIC bránia kontaminácii kovu a zabezpečujú rovnomernosť filmu GAN.
2. Plazmový proces polovodičovej plazmy/suchého leptania
VICP (induktívne spojené plazma) leptanie, Nosiče potiahnuté SIC dosahujú rovnomerné rozloženie tepla prostredníctvom optimalizovaného návrhu prúdenia vzduchu (napríklad režim laminárneho prietoku), vyhýbajú sa difúzii nečistoty a zlepšujú presnosť leptania. Napríklad, špionážne leptaný nosič ICP potiahnutý spoločnosťou Vetemicon, ktorý vydrží sublimačnú teplotu 2700 ° C a je vhodný pre vysokoenergetické plazmové prostredie.
3. Výroba solárnych článkov a energetických zariadení
Nosiče SIC fungujú dobre pri difúzii s vysokou teplotou a leptaním kremíkových doštičiek vo fotovoltaickom poli. Ich koeficient nízkej tepelnej expanzie (4,5 × 10⁻⁶/k) znižuje deformáciu spôsobenú tepelným stresom a rozširuje životnosť.
Fyzikálne vlastnosti a výhody nosiča oblátok potiahnutých SIC na leptanie
1. Tolerancia k extrémnym prostrediam:
Stabilita vysokej teploty:CVD SIC povlakMôže pracovať vo vzduchu 1600 ° C alebo 2200 ° C vákuové prostredie po dlhú dobu, čo je oveľa vyššie ako tradičné kremenné alebo grafitové nosiče.
Odolnosť proti korózii: SIC má vynikajúcu odolnosť voči kyselinám, alkalisom, solí a organických rozpúšťadlách a je vhodný na výrobné línie polovodičov s častým chemickým čistením.
2. Tepelné a mechanické vlastnosti:
Vysoká tepelná vodivosť (300 W/Mk): Rýchly rozptyl tepla znižuje tepelné gradienty, zaisťuje teplotnú uniformitu doštičiek a vyhýba sa odchýlke hrúbky filmu.
Vysoká mechanická pevnosť: pevnosť v ohybe dosahuje 415 MPa (teplota miestnosti) a stále si udržuje viac ako 90% pevnosť pri vysokej teplote, čím sa zabráni praskaniu alebo delaminácii nosiča.
Povrchová úprava: SSIC (karbid kremíka spekaný tlakom) má nízku drsnosť povrchu (<0,1 μm), znižuje kontamináciu častíc a zlepšuje výťažok oblátky.
3. Optimalizácia materiálu: Optimalizácia:
Nízky rozdiel v tepelnej expanzii medzi grafitovým substrátom a povlakom SIC: Úpravou procesu poťahovania (ako je ukladanie gradientu) sa zníži napätie rozhrania a povlaky sa zabráni odlupovaniu.
Vysoká čistota a nízke defekty: Proces CVD zaisťuje čistotu povlaku> 99,9999%, čím sa zabráni kontaminácii citlivých procesov kovových iónov (ako je výroba energie SIC).
PotomC fyzikálne vlastnosti povlaku CVD SIC
Základné fyzikálne vlastnosti povlaku CVD SIC
Majetok
Typická hodnota
Kryštalizácia
FCC β fázový polykryštalický, hlavne (111) orientovaný
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Súbory cookie používame, aby sme vám poskytli lepší zážitok z prehliadania, analyzovali návštevnosť stránok a prispôsobili obsah. Používaním tejto stránky súhlasíte s naším používaním cookies. Zásady ochrany osobných údajov