VeTek Semiconductor má výhodu a skúsenosti s náhradnými dielmi MOCVD Technology.
MOCVD, celý názov Metal-Organic Chemical Vapour Deposition (metal-organic Chemical Vapour Deposition), možno tiež nazvať epitaxia kovovo-organickej parnej fázy. Organokovové zlúčeniny sú triedou zlúčenín s väzbami kov-uhlík. Tieto zlúčeniny obsahujú aspoň jednu chemickú väzbu medzi kovom a atómom uhlíka. Kovovo-organické zlúčeniny sa často používajú ako prekurzory a môžu vytvárať tenké filmy alebo nanoštruktúry na substráte prostredníctvom rôznych depozičných techník.
Kovovo-organické chemické nanášanie pár (technológia MOCVD) je bežná technológia epitaxného rastu, technológia MOCVD sa široko používa pri výrobe polovodičových laserov a LED diód. Najmä pri výrobe LED je MOCVD kľúčovou technológiou na výrobu nitridu gália (GaN) a príbuzných materiálov.
Existujú dve hlavné formy epitaxie: epitaxia v tekutej fáze (LPE) a epitaxia v parnej fáze (VPE). Epitaxia v plynnej fáze môže byť ďalej rozdelená na kovovo-organickú chemickú depozíciu z plynnej fázy (MOCVD) a epitaxiu s molekulárnym lúčom (MBE).
Zahraničných výrobcov zariadení zastupujú najmä Aixtron a Veeco. Systém MOCVD je jedným z kľúčových zariadení na výrobu laserov, LED diód, fotoelektrických komponentov, napájania, RF zariadení a solárnych článkov.
Hlavné vlastnosti náhradných dielov technológie MOCVD vyrábaných našou spoločnosťou:
1) Vysoká hustota a úplné zapuzdrenie: grafitová základňa ako celok je vo vysokoteplotnom a korozívnom pracovnom prostredí, povrch musí byť úplne zabalený a náter musí mať dobré zahustenie, aby mohol hrať dobrú ochrannú úlohu.
2) Dobrá rovinnosť povrchu: Pretože grafitový základ používaný na rast monokryštálov vyžaduje veľmi vysokú rovinnosť povrchu, pôvodná rovinnosť základne by sa mala zachovať aj po príprave náteru, to znamená, že vrstva náteru musí byť rovnomerná.
3) Dobrá pevnosť spoja: Znížte rozdiel v koeficiente tepelnej rozťažnosti medzi grafitovou základňou a náterovým materiálom, čo môže účinne zlepšiť pevnosť spoja medzi nimi, a náter nie je ľahké prasknúť po vystavení vysokej a nízkej teplote. cyklu.
4) Vysoká tepelná vodivosť: vysokokvalitný rast čipov vyžaduje, aby grafitový základ poskytoval rýchle a rovnomerné teplo, takže náterový materiál by mal mať vysokú tepelnú vodivosť.
5) Vysoká teplota topenia, odolnosť proti oxidácii pri vysokej teplote, odolnosť proti korózii: náter by mal byť schopný pracovať stabilne vo vysokoteplotnom a korozívnom pracovnom prostredí.
Vetek Semiconductor vyrába doštičkové nosiče pre systémy VEECO MOCVD, postavené špeciálne pre prácu s LED epitaxou, ako sú GaN LED, modro-zelené LED a hlboký rast UV LED. Tieto nosiče začínajú vysoko čistým grafitom a získavajú hustý CVD povlak z karbidu kremíka (SiC). Táto kombinácia dobre odoláva vysokým teplotám, ktoré vidíte v MOCVD – dobrá tepelná stabilita, odolnosť proti korózii a náter trvá.
VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor je precízne skonštruované riešenie nosiča špeciálne vyvinuté pre epitaxiálny rast LED a zložených polovodičov. Preukazuje výnimočnú tepelnú rovnomernosť a chemickú inertnosť v zložitých prostrediach MOCVD. Využitím prísneho procesu CVD depozície VETEK sme sa zaviazali zlepšiť konzistentnosť rastu plátkov a predĺžiť životnosť základných komponentov, čím sa zabezpečí stabilný a spoľahlivý výkon pre každú šaržu vašej výroby polovodičov.
Náš planétový Spiceptor potiahnutý SIC je základnou súčasťou procesu vysokej teploty výroby polovodičov. Jeho dizajn kombinuje grafitový substrát s povlakom karbidu kremíka, aby sa dosiahla komplexná optimalizácia výkonu tepelného manažmentu, chemickej stability a mechanickej pevnosti.
Hlboký UV LED dióda SIC potiahnutý SIC je navrhnutý pre proces MOCVD na podporu efektívneho a stabilného hĺbkového Rastu epitaxnej vrstvy Epitaxnej vrstvy UV LED. Vetek Semiconductor je popredným výrobcom a dodávateľom SIC hlbokého UV LED LED v Číne. Máme bohaté skúsenosti a nadviazali sme dlhodobé družstevné vzťahy s mnohými LED epitaxiálnymi výrobcami. Sme špičkovým domácim výrobcom produktov Suslector pre LED diódy. Po rokoch overenia je náš produkt životnosť na rovnakej úrovni ako medzi najlepšími medzinárodnými výrobcami. Tešíme sa na váš dopyt.
VeTek Semiconductor LED Epitaxy susceptor je navrhnutý pre modrú a zelenú LED epitaxnú výrobu. Kombinuje povlak z karbidu kremíka a grafitu SGL a má vysokú tvrdosť, nízku drsnosť, dobrú tepelnú stabilitu a vynikajúcu chemickú stabilitu. LED Epitaxy susceptor je jedným z najvýznamnejších produktov VeTek Semiconductor. Tešíme sa na váš dopyt.
VEEK Semiconductor's Veeco LED EPI Siliptor je navrhnutý pre epitaxiálny rast červených a žltých LED. Pokročilé materiály a technológia povlaku CVD SIC zaisťujú tepelnú stabilitu susceptora, čím sa teplotné pole rovnomerne počas rastu, znižujú defekty kryštálov a zlepšujú kvalitu a konzistentnosť epitaxiálnych doštičiek. Je kompatibilný s epitaxiálnym rastovým zariadením Veeca a môže byť plynule integrovaný do výrobnej linky. Presný návrh a spoľahlivý výkon pomáhajú zlepšovať efektívnosť a znižovať náklady. Tešíme sa na vaše otázky.
Ako profesionálny výrobca a dodávateľ Technológia MOCVD v Číne máme vlastnú továreň. Či už potrebujete prispôsobené služby, ktoré spĺňajú špecifické potreby vášho regiónu, alebo si chcete kúpiť moderné a odolné Technológia MOCVD vyrobené v Číne, môžete nám zanechať správu.
Súbory cookie používame, aby sme vám poskytli lepší zážitok z prehliadania, analyzovali návštevnosť stránok a prispôsobili obsah. Používaním tejto stránky súhlasíte s naším používaním cookies.Zásady ochrany osobných údajov
