Materiály a dizajn

Výber vhodnej kombinácie substrátu a povlaku je kľúčom k zabráneniu predčasného zlyhania komponentov, zníženiu kontaminácie časticami a maximalizácii výťažku plátku. Poskytujeme prispôsobené materiálové a konštrukčné riešenia pre špecifické procesné okno zákazníka (prevádzková teplota, chémia reaktívnych plynov, rýchlosť stúpania).

Naše hlavné konštrukčné schopnosti:

• Prísne prispôsobenie stresu CTE:Pre rýchle tepelné cyklovanie (>100 °C/min) presne prispôsobujeme teplotné krivky CTE vysoko čistých grafitových substrátov a CVD povlakov, čím zásadne znižujeme riziko delaminácie povlaku a mikrotrhlín.
• Výber povlaku špecifický pre proces-scenár:CVD SiC povlak pre Si/SiC epitaxiu (Epi), MOCVD a prostredie plazmového leptania; CVD TaC povlak pre vysokoteplotné a silne korozívne podmienky (napr. rast monokryštálov SiC PVT).
• Regulovateľný odpor a optimalizácia tepelnej vodivosti:Presná kontrola objemového odporu a tepelnej vodivosti substrátu a povlaku na splnenie špecifických požiadaviek na elektrické a tepelné pole RF, ESC elektrostatických skľučovadiel alebo vykurovacích zón.
• Kontrola zdroja kontaminácie a redukcia CoO:Vrstvy na nanášanie CVD vysokej čistoty husto utesňujú porézny grafit, čím sa výrazne znižuje uvoľňovanie častíc, difúzia ultrastopových kovových nečistôt a riziko úniku plynov pri vysokej teplote.

Porovnanie typického výberu povlaku (stručný sprievodca)

Skutočný prípad a výhody pre zákazníka (skúsenosti):

Popredný výrobca SiC epitaxie (Epi):Pôvodná súčiastka používala nezodpovedajúci povlak CVD TaC, čo malo za následok nadmerné medzifázové napätie a časté mikrotrhliny pri vysokej teplote. Znova sme spustili termodynamické simulácie a prešli na aŠpeciálny grafitový substrát s vysokou čistotou prispôsobený CTE + vyrovnávacia vrstva + povlak CVD SiCriešenie. Výsledok: priemerná životnosť komponentov sa zvýšila z 200 hodín na 850 hodín; ročná frekvencia výmeny na nástroj klesla zo 40 na 9-krát; Úspora nákladov na komplexné vybavenie O&M presiahla 650 000 RMB ročne.

Správa o analýze čistoty GDMS pre povlaky TaC a SiC

FAQ

Začnite svoju exkluzívnu službu