Sprievodca výberom

Tepelná prekážka vysokovýkonných čipov a modulov často nespočíva len v tom, že „vodivosť je dostatočne vysoká“, ale aj v tom, či sú vodivosť a tepelná rozťažnosť spolu zosúladené. Diamantové kompozity zvyšujú tepelnú vodivosť a znižujú CTE prostredníctvom vysokého objemového podielu diamantu, pričom vytvárajú tri spoločné cesty: diamant-meď, diamant-hliník a diamant-SiC. Na základe typických rozsahov výkonu tento článok vysvetľuje hranice výberu, aplikačné scenáre a úvodné kontrolné body.

Skutočnou otázkou pri výbere častí komory často nie je „keramika alebo kremeň“, ale: pri súčasnej teplote, korózii, elektrických a mechanických obmedzeniach, ktorý materiál môže kontrolovať častice, životnosť a náklady. Tento článok vytvára jednotný výberový rámec pre pokročilú polovodičovú keramiku a kremeň, vysvetľuje ich rozdelenie úloh, štvordimenzionálny prístup k hodnoteniu a cesty čítania zlyhania, prispôsobenia a obstarávania – a načrtáva jasnú čiaru medzi hromadným karbidom kremíka a grafitom + povlakom CVD SiC.

Pevný SiC nie je „drahšou náhradou povlaku“, ale ďalšou technickou cestou pre scenáre bez rozhrania, odolné voči plazme a s mimoriadne dlhou životnosťou. Tento článok vysvetľuje jeho aplikačné hranice pri leptaní a použití s ​​vysokou čistotou, porovnanie TCO s potiahnutým grafitom a overovacie body na úvod. Keď čiara opakovane vidí delamináciu povlaku alebo stúpanie častíc na zaostrovacích prstencoch a podobných pozíciách, problémom často nie je len „nedostatočné čistenie“ alebo „zlá dávka“, ale aj to, či sa forma materiálu zhoduje s plazmovým prostredím.

Potiahnuté diely sa nemusia úplne zlikvidovať v každom uzle životnosti. Tento článok vysvetľuje, kedy sú grafitové diely potiahnuté CVD SiC vhodné na čistenie a regeneráciu, ako ich potom prijať a ako zvládnuť kadenciu výmeny s myslením na celý životný cyklus – pomáha tak spoľahlivejšie vyvážiť výnos a náklady na jeden cyklus. Skutočné náklady na susceptory, predhrievacie krúžky a podobné diely na linke nie sú len nákupnou cenou, ale aj frekvenciou výmeny, prestojmi a rizikom častíc.