Ukážkové mapovanie

Na základe fyzickej vzorky poskytnutej zákazníkom (aj keď ide o opotrebovaný alebo zlomený použitý diel) ponúkame celospektrálne služby od reverzného inžinierstva fyzikálnej štruktúry až po fyzikálno-chemickú charakterizáciu na úrovni materiálu. Využitím vysoko presného kontrolného zariadenia polovodičovej kvality presne kvantifikujeme zložité 3D geometrické štruktúry, vlastnosti rozhrania povlak/substrát a fyzikálne parametre materiálu, čím zaisťujeme, že produkt s reverzným inžinierstvom spĺňa resp. prekračuje štandardy OEM vo fyzickom prispôsobení, kompatibilite procesov a životnosti (náhrada Form-Fit-Function).

Čo meriame (technické dodávky):

• Rozmerové a geometrické tolerancie:Pomocou vysoko presných súradnicových meracích strojov (CMM) a optických 3D skenerov vykonávame modelovanie a rekonštrukciu komplexných dutín a montážnych/umiestňovacích otvorov v plnej veľkosti, pričom dosahujeme presnosť na úrovni mikrónov.
• Mikromorfológia a rovinnosť povrchu:Využitie interferometrov bieleho svetla a optických profilometrov na vyhodnotenie drsnosti povrchu v nanometrovom meradle (Ra) a veľkoplošnej rovinnosti, ktoré spĺňajú požiadavky na manipuláciu s plátkami a utesnenie komôr.
• Mikrofunkcie Edge:Mapovanie okrajových R-radiusov a mikroprofilov skosenia s vysokým zväčšením na optimalizáciu morfológie stúpania povlaku a zabránenie koncentrácii napätia v ostrých rohoch, ktorá môže spôsobiť delamináciu pri vysokej teplote.
• Grafitový substrát a analýza tepelnej zhody:Posúdenie hustoty, veľkosti zŕn a koeficientu tepelnej rozťažnosti (CTE) grafitového substrátu s vysokou čistotou, aby sa zabezpečilo prispôsobenie tepelného napätia medzi substrátom a povlakom CVD.
• Prierez povlaku a kvalita lepenia rozhrania:Nedeštruktívna XRF a metalografická SEM analýza prierezu na meranie absolútnej hrúbky, radiálnej rovnomernosti CVD povlaku a hĺbky prieniku rozhrania.
• Fázová štruktúra a analýza mikrokryštálov:XRD vyhodnotenie kubickej fázy (β-SiC) čistoty CVD SiC; kvalitatívne hodnotenie chemickej stechiometrie a charakteristík kryštálovej štruktúry CVD TaC.

Skutočný prípad a výhody pre zákazníka (skúsenosti):

Zákazník s 12-palcovým polovodičovým leptaným komponentom:OEM dodávky prerušené; k dispozícii bol iba jeden opotrebovaný použitý diel. Prostredníctvom reverzného modelovania CMM + analýzy prierezu povlaku SEM sme dokončili vývoj náhradných dielov a testovanie na nástroji do 2 mesiacov bez akýchkoľvek originálnych výkresov, čím sme dosiahli 100 % montáž. V konečnom dôsledku sa cyklus obstarávania komponentov skrátil z pôvodného 6-mesačného prípravného obdobia na dovoz na 2 mesiace, jednotkové obstarávacie náklady klesli o 42 % a tento model bol stabilne dodávaný pre viac ako 30 šarží.

Povlak z karbidu kremíka (SiC) na priereze povlaku SEM

FAQ

Začnite svoju exkluzívnu službu