Oblátka

Oblátkový substrátje doštička vyrobená z polovodičového monokryštálového materiálu. Substrát môže priamo vstúpiť do procesu výroby doštičiek na výrobu polovodičových zariadení alebo môže byť spracovaný epitaxným procesom na výrobu epitaxiálnych doštičiek.

Wafer Substrát ako základná nosná konštrukcia polovodičových zariadení priamo ovplyvňuje výkon a stabilitu zariadení. Ako „základ“ výroby polovodičových zariadení je potrebné na substráte vykonať sériu výrobných procesov, ako je rast tenkého filmu a litografia.

Súhrn typov substrátov:

 ●Monokryštálový kremíkový plátok: v súčasnosti najbežnejší substrátový materiál, široko používaný pri výrobe integrovaných obvodov (IC), mikroprocesorov, pamätí, MEMS zariadení, napájacích zariadení atď.;

 ●SOI substrát: používa sa pre vysokovýkonné integrované obvody s nízkou spotrebou energie, ako sú vysokofrekvenčné analógové a digitálne obvody, RF zariadenia a čipy na správu napájania;

 ●Zložené polovodičové substráty: Substrát arzenidu gália (GaAs): mikrovlnné a milimetrové vlnové komunikačné zariadenia, atď. Substrát nitridu gália (GaN): používaný pre RF výkonové zosilňovače, HEMT atď.Substrát z karbidu kremíka (SiC): používa sa pre elektrické vozidlá, výkonové meniče a iné výkonové zariadenia Indium fosfidový substrát (InP): používa sa pre lasery, fotodetektory atď.;

 ●Zafírový substrát: používa sa na výrobu LED, RFIC (rádiofrekvenčný integrovaný obvod) atď.;

Vetek Semiconductor je profesionálny dodávateľ SiC substrátov a substrátov SOI v Číne. náš4H poloizolačný typ SiC substráta4H poloizolačný typ SiC substrátsú široko používané v kľúčových komponentoch zariadení na výrobu polovodičov. 

Vetek Semiconductor sa zaväzuje poskytovať pokročilé a prispôsobiteľné produkty Wafer Substrate a technické riešenia rôznych špecifikácií pre polovodičový priemysel. Úprimne sa tešíme, že sa staneme vaším dodávateľom v Číne.