Produkty

Vetek Semiconductor ponúka porézne SIC keramický skľučovadlo, ktoré sa bežne používajú v technológii spracovania doštičiek, prenosu a iných prepojení, vhodné na spojenie, písanie, náplastie, leštenie a ďalšie odkazy, spracovanie laserov. Naša pórovitá SIC Ceramic Chuck má ultra silnú vákuovú adsorpciu, vysokú rovinnosť a vysokú čistotu uspokojujú potreby väčšiny polovodičových odvetví.

Vetek Semiconductor je profesionálny čínsky výrobca kremíka na izolátore. Silikón na izolátorskej doštičke je dôležitým materiálom substrátu polovodiča a jeho vynikajúce vlastnosti produktu zohrávajú kľúčovú úlohu vo vysokovýkonných, nízkoenergetických, vysokovýkonných a RF aplikáciách. Tešíme sa na vašu konzultáciu.

Poter TAC sa v súčasnosti používa hlavne v procesoch, ako je napríklad rast s jedným kryštálom kremíka (Metóda PVT), epitaxiálny disk (vrátane epitaxie karbidu kremíka, LED epitaxia) atď. V kombinácii s dobrými dlhodobými stabilitami poťahovacej dosky TAC sa stala blúdkovacou doskou TAC pre náhradné diely TAC. Tešíme sa, že sa stanete našim dlhodobým partnerom.

Ako základný konzumný v procese výroby polovodičov, pórovitý grafit hrá nenahraditeľnú úlohu vo viacerých väzbách, ako je rast kryštálov, doping a žíhanie. Ako profesionálny výrobca porézneho grafitu sa Vetek Semiconductor zaväzuje poskytovať kvalitné porézne grafitové výrobky za konkurencieschopné ceny, vítajte ďalšie otázky.

GAN na SIC Epi Spiceptor hrá dôležitú úlohu pri spracovaní polovodičov prostredníctvom svojej vynikajúcej tepelnej vodivosti, schopnosti spracovania vysokej teploty a chemickej stability a zaisťuje vysokú účinnosť a kvalitu materiálu procesu Epitaxiálneho rastu GAN. Vetek Semiconductor je profesionálny výrobca Číny spoločnosti GAN na SIC Epi Spiceptor, úprimne sa zrejme na vašu ďalšiu konzultáciu.

CVD TAC Coating Carrier je navrhnutý hlavne pre epitaxiálny proces výroby polovodičov. Ultra vysoký topenie CVD TAC TAC TAC, vynikajúca odolnosť proti korózii a vynikajúca tepelná stabilita určuje nevyhnutnosť tohto produktu v polovodičovom epitaxiálnom procese. Vitajte svoj ďalší dopyt.