Prášok karbidu kremíka (SiC) s vysokou čistotou

Kľúčové vlastnosti
• Čistota môže dosiahnuť až 99,9999 % – to je 6N

• Kovové nečistoty sú udržiavané na nízkej úrovni

• Testovacie údaje GDMS sú k dispozícii na požiadanie

• Sublimačné správanie zostáva konzistentné od dávky k dávke

• Menšie riziko kontaminácie počas spracovania

• Distribúcia veľkosti častíc je kontrolovaná

• Môžete tiež požiadať o prispôsobené veľkosti častíc

• Kontrola kvality sa riadi štandardmi na úrovni polovodičov

Rozsah veľkosti častíc:

Čistota prášku: 

Technické špecifikácie:

Aplikácie

• SiC Single Crystal Growth (PVT)

• Vodivé a poloizolačné SiC substráty

• Polovodičové materiály

• Pokročilá keramika

• Výskum a vývoj

Prečo si vybrať VeTek Semiconductor?

• Pokročilá technológia čistenia

• Kontrola kvality na úrovni polovodičov

• Možnosti prispôsobenej veľkosti častíc

• Stabilné a spoľahlivé zásobovanie

• Technická podpora pre aplikácie na rast kryštálov