Tesniaci prvok SIC

Stupeľňa SIC hrá kľúčovú úlohu pri spracovaní polovodičov. Jeho vynikajúce vlastnosti materiálu a spoľahlivý účinok tesnenia nielen zlepšujú účinnosť výroby, ale tiež zabezpečujú kvalitu a bezpečnosť produktu.

Hlavné výhody tesnenia karbidu kremíka:

Vynikajúca odolnosť proti korózii: Spomedzi pokročilých keramických materiálov môže mať Sealing Sealing časť VeteSemi najlepšiu odolnosť proti korózii v kyslom a alkalickom prostredí. Táto bezkonkurenčná odolnosť proti korózii zaisťuje, že časť tesnenia SIC môže účinne fungovať v chemicky korozívnych prostrediach, čo z neho robí nevyhnutný materiál v odvetviach, ktoré sú často vystavené korozívnym látkam.

Ľahký a silný: Karbid kremíka má hustotu približne 3,2 g/cm³ a ​​napriek tomu, že je ľahký keramický materiál, sila karbidu kremíka je porovnateľná s diamantom. Táto kombinácia ľahkosti a sily zlepšuje výkon mechanických komponentov, čím sa zvyšuje účinnosť a znižuje opotrebovanie náročných priemyselných aplikácií. Ľahká povaha tesnenia SIC tiež uľahčuje ľahšiu manipuláciu a inštaláciu komponentov.

Mimoriadne vysoká tvrdosť a vysoká tepelná vodivosť: Silikónový karbid má tvrdosť Mohs 9 ~ 10, porovnateľné s diamantom. Táto vlastnosť v kombinácii s vysokou tepelnou vodivosťou (približne 120-200 W/m · K pri teplote miestnosti) umožňuje SIC SEALS fungovať v podmienkach, ktoré by poškodili nižšie materiály. Vynikajúce mechanické vlastnosti spoločnosti SIC sa udržiavajú pri teplotách až do 1600 ° C, čo zabezpečuje, že tesnenia SIC zostanú robustné a spoľahlivé aj vo vysokorýchlostných aplikáciách.

Vysoká tvrdosť a odolnosť proti opotrebeniu: Karbid kremíka sa vyznačuje silnými kovalentnými väzbami v rámci svojej kryštálovej mriežky, čo jej dáva vysokú tvrdosť a značný elastický modul. Tieto vlastnosti sa premietajú do vynikajúcej odolnosti proti opotrebeniu, čím sa znižuje pravdepodobnosť ohýbania alebo deformácie aj po dlhodobom používaní. Vďaka tomu je SIC vynikajúcou voľbou pre časti tesniacich častí SIC, ktoré sú vystavené nepretržitému mechanickému napätiu a abrazívnym podmienkam.

Ochranná tvorba oxidu kremíka: Ak je vystavený teplotám približne 1300 ° C v prostredí bohatých na kyslík, karbid kremíka tvorí ochranný oxid kremíka (SIO₂) Vrstva na jeho povrchu. Táto vrstva pôsobí ako bariéra, ktorá bráni ďalšej oxidácii a chemických interakciách. Ako Sio₂Vrstva zahusťuje, ďalej chráni podkladový SIC pred ostatnými reakciami. Tento oxidačný proces s obmedzujúcim samoobsluhy poskytuje SIC vynikajúcu chemickú odolnosť a stabilitu, vďaka čomu sú tesnenia SIC vhodné na použitie v reaktívnych a vysokoteplotných prostrediach.

Všestrannosť vo vysokovýkonných aplikáciách:Unikátne vlastnosti kremíka Carbide sú všestranné a efektívne v rôznych vysoko výkonných aplikáciách. Od mechanických tesnení a ložísk po výmenníky tepla a komponenty turbíny, schopnosť tesnenia SIC odolávať extrémnym podmienkam a udržiavať jej integritu z neho robí materiál podľa výberu v pokročilých inžinierskych roztokoch.

Vetek Semiconductor sa zaviazal poskytovať pokročilé technológie a produktové riešenia pre polovodičový priemysel. Okrem toho zahŕňajú aj naše výrobky SICKremík, Keramika kremíkaaProces epitaxie SICvýrobky. Vitajte svoju ďalšiu konzultáciu.

Dáta SEM of CVD SIC Kryštalická štruktúra：