Webové menu

Vyhľadávanie produktov

Jazyk

Produkty
Nosič lodí s vysokou čistotou SIC
  • Nosič lodí s vysokou čistotou SICNosič lodí s vysokou čistotou SIC
  • Nosič lodí s vysokou čistotou SICNosič lodí s vysokou čistotou SIC
  • Nosič lodí s vysokou čistotou SICNosič lodí s vysokou čistotou SIC
  • Nosič lodí s vysokou čistotou SICNosič lodí s vysokou čistotou SIC

Nosič lodí s vysokou čistotou SIC

VeTek Semiconductor ponúka prispôsobený nosič člnov SiC s vysokou čistotou. Vyrobené z vysoko čistého karbidu kremíka, má štrbiny na uchytenie plátku na mieste, čím sa zabráni jeho skĺznutiu počas spracovania. V prípade potreby je k dispozícii aj povlak CVD SiC. Ako profesionálny a silný výrobca a dodávateľ polovodičov VeTek Semiconductor je vysoko čistý nosič SiC doštičiek na čln, ktorý je cenovo konkurencieschopný a má vysokú kvalitu. VeTek Semiconductor sa teší, že bude vaším dlhodobým partnerom v Číne.
Odoslať dopyt
Popis produktu

VeTekSemi Nosič doštičiek SiC s vysokou čistotou je dôležitým ložiskovým komponentom používaným v žíhacích peciach, difúznych peciach a iných zariadeniach v procese výroby polovodičov. Lodný nosič doštičiek SiC s vysokou čistotou je zvyčajne vyrobený z materiálu karbidu kremíka vysokej čistoty a obsahuje najmä tieto časti:


• Podpora lodí: konštrukcia podobná konzole, špeciálne používaná na prenášaniekremíkalebo iné polovodičové materiály.


• Podporná štruktúra: Jeho dizajn podpornej štruktúry mu umožňuje znášať veľké zaťaženie pri vysokých teplotách a počas ošetrenia s vysokou teplotou sa nebude deformovať ani poškodiť.


silicon carbide material

materiál z karbidu kremíka


Fyzické vlastnostiRekryštalizovaný kremíkový karbid：


Nehnuteľnosť
 Typická hodnota
Pracovná teplota (°C)
 1600 ° C (s kyslíkom), 1700 ° C (redukčné prostredie)
Obsah SIC
 > 99,96 %
Bezplatný obsah SI
 < 0,1 %
Objemová hmotnosť
 2,60-2,70 g/cm3
Zjavná pórovitosť
 <16%
Pevnosť v tlaku
 > 600 MPa
Pevnosť v ohybe za studena
 80-90 MPa (20 °C)
Pevnosť v ohýbaní
 90-100 MPa (1400 ° C)
Tepelná rozťažnosť pri 1500°C
 4,70 x 10-6/°C
Tepelná vodivosť @1200 ° C
 23 w/m • k
Modul pružnosti
 240 GPA
Odolnosť voči tepelným šokom
 Mimoriadne dobré

Ak sú požiadavky na výrobný proces vyššie,CVD SiC povlakmožno vykonať na nosiči doštičiek SiC s vysokou čistotou, aby čistota dosiahla viac ako 99,99995 %, čím sa ďalej zlepšuje jeho odolnosť voči vysokej teplote.


Základné fyzikálne vlastnosti povlaku CVD SIC:


Nehnuteľnosť
 Typická hodnota
Kryštálová štruktúra
 FCC β fázový polykryštalický, hlavne (111) orientovaný
Hustota
 3,21 g/cm³
Tvrdosť
 Tvrdosť 2500 Vickers (záťaž 500g)
Veľkosť zrna
 2 ~ 10 μm
Chemická čistota
 99,9995%
Tepelná kapacita
 640 j · kg-1· K-1
Sublimačná teplota
 2700 ℃
Pevnosť v ohybe
 415 MPa RT 4-bod
Youngov modul
 430 GPA 4PT ohýbač, 1300 ℃
Tepelná vodivosť
 300 W · m-1· K-1
Tepelná expanzia (CTE)
 4,5 × 10-6K-1

Počas spracovania pri vysokej teplote umožňuje člnový nosič doštičiek SiC s vysokou čistotou, aby sa kremíkový plátok zahrieval rovnomerne, aby sa zabránilo lokálnemu prehriatiu. Okrem toho vysoká teplotná odolnosť materiálu karbidu kremíka umožňuje zachovať štrukturálnu stabilitu pri teplotách 1200 °C alebo dokonca vyšších.working principle of High purity SiC wafer boat carrier


Počas procesu difúzie alebo žíhania spolupracujú konzolové pádlo a nosič lodí s vysokou čistotou SIC. Tenkonzolové pádloPomaly tlačí nosič lodí SIC s vysokou čistotou, ktorý nesie kremíkovú oblátku do pecnej komory, a zastaví ju v určenom polohe na spracovanie. 


Lodný nosič SiC doštičiek s vysokou čistotou udržiava kontakt s kremíkovým plátkom a je upevnený v špecifickej polohe počas procesu tepelného spracovania, zatiaľ čo konzolová lopatka pomáha udržiavať celú konštrukciu v správnej polohe a zároveň zaisťuje rovnomernosť teploty.


Nosič lodí s vysokou čistotou SIC a konzolové pádlo spolupracujú, aby sa zabezpečila presnosť a stabilita procesu vysokej teploty.


Je to polovodičvám poskytuje prispôsobený nosič člnov SiC s vysokou čistotou podľa vašich potrieb. Tešíme sa na váš dopyt.


Je to polovodičVysoko čistota SIC Wafer Wors Carrier Obchody:

VeTek Semiconductor High purity SiC wafer boat carrier shops

Hot Tags: Lodný nosič doštičiek SiC s vysokou čistotou
Súvisiaca kategória
Odoslať dopyt
Kontaktné informácie
Ak máte otázky týkajúce sa povlaku karbidu kremíka, povlaku karbidu tantalu, špeciálneho grafitu alebo cenníka, zanechajte nám svoj e-mail a my sa vám ozveme do 24 hodín.
Súvisiace produkty
Kremíková karbidová čln
Kremíková karbidová čln Vidieť viac >>
Vysoký čistý kremíkový karbidový nosič
Vysoký čistý kremíkový karbidový nosič Vidieť viac >>
Konzolové konzolové kremík
Konzolové konzolové kremík Vidieť viac >>
SIC potiahnutá kremíková karbidová člnová loď
SIC potiahnutá kremíková karbidová člnová loď Vidieť viac >>
Loď z karbidu kremíka pre horizontálnu pec
Loď z karbidu kremíka pre horizontálnu pec Vidieť viac >>
Konzolové pádlo SiC
Konzolové pádlo SiC Vidieť viac >>
Odporúčania noviniek
Výroba čipov: Depozícia atómovej vrstvy (ALD)
Výroba čipov: Depozícia atómovej vrstvy (ALD)Vidieť viac >>
Technológia prípravy kremíkovej (Si) epitaxie
Technológia prípravy kremíkovej (Si) epitaxieVidieť viac >>
Čo je rast kryštálových kryštálov kremíka?
Čo je rast kryštálových kryštálov kremíka?Vidieť viac >>
Aká je špecifická aplikácia častí potiahnutých TAC v poli polovodičov?
Aká je špecifická aplikácia častí potiahnutých TAC v poli polovodičov?Vidieť viac >>
Rôzne technické trasy epitaxnej rastovej pece SIC
Rôzne technické trasy epitaxnej rastovej pece SICVidieť viac >>
Prečo je povlaky SIC kľúčovým základným materiálom pre rast epitaxie SIC?
Prečo je povlaky SIC kľúčovým základným materiálom pre rast epitaxie SIC?Vidieť viac >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept