CVD TAC potiahnutý trojpárkovým vodiacim krúžkom

Jednokryškryrálny substrátový materiál z kremíka karbidu je druh kryštálového materiálu, ktorý patrí do širokého materiálu polovodiča Bandgap. Má výhody odporu vysokého napätia, vysokého teplotného odporu, vysokej frekvencie, nízkej straty atď. Je to základný materiál na prípravu vysoko výkonných elektronických zariadení a mikrovlnných rádiových zariadení. V súčasnosti sú hlavnými metódami pestovania kryštálov SIC fyzikálny transport pár (PVT metóda), ukladanie chemickej pary s vysokou teplotou (metóda HTCVD), metóda kvapalnej fázy atď.

Metóda fyzickej prepravy pary (PVT) je dobre zavedená technika, ktorá je vysoko vhodná pre priemyselnú výrobu vo veľkom meradle. V tomto procese je kryštál semien SIC umiestnený v hornej časti téglika, zatiaľ čo SIC prášok, ktorý slúži ako surovina, je umiestnený na téglikovom dne. Za podmienok vysokej teploty a nízkym tlakom v uzavretom prostredí si SIC prášok sublimuje. Sublimované druhy, poháňané teplotným gradientom a rozdielom koncentrácie, sa pohybujú smerom nahor smerom k oblasti v blízkosti kryštálu semien. Po dosiahnutí presýteného stavu dôjde k rekryštalizácii, čo umožňuje presnú kontrolu nad veľkosťou a špecifickým typom kryštálov kryštálov.

CVD TAC potiahnutý tromi - vodiaci krúžok na okvetné lístky slúži viacerým kľúčovým funkciám. Primárne zvyšuje mechaniku tekutín vedením prietoku plynu a zabezpečuje, aby oblasť rastu kryštálov bola vystavená jednotnej atmosfére. Okrem toho účinne rozptyľuje teplo počas procesu rastu kryštálov SIC. Udržiavaním vhodného teplotného gradientu optimalizuje podmienky rastu pre kryštály SIC a zmierňuje riziko defektov kryštálov spôsobené nerovnomerným distribúciou teploty.