4 palcová izolácia

Ako profesionálny vysokokvalitný 4 -palcový izolačný rigidný plsník - výrobca tela si môžete byť istí, že si môžete kúpiť 4 -palcový izolačný rigidný plsť - telo z továrne Vetek Semiconductor.

Izolačná tuhá plsť je druh kompozitného izolačného materiálu špeciálne navrhnutého pre extrémne prostredie s vysokou teplotou, použitie kompozitného procesu uhlíkových vlákien a uhlíkových látok, ktoré je v kombinácii s technológiou karbonizácie/grafitizácie s vysokou teplotou, má veľmi vysokú čistotu (popol ≤ 10ppm), vynikajúcu tepelnú stabilitu a mechanickú pevnosť. Materiál je navrhnutý na použitie v tepelných izolačných systémoch v kremíkových karbidoch (SIC) s jednovrstvovými pece, ktoré spĺňajú náročnú jednotnosť tepelného poľa, teplotný gradient a požiadavky na kontrolu nečistoty v metóde fyzikálneho prenosu pary (PVT).

Charakteristiky materiálov a procesov

Zložená štruktúran

Povrchová uhlíková tkanina Vystuženie: Prostredníctvom špeciálneho procesu na zloženú z uhlíkových tkanín s uhlíkovými vláknami a uhlíkovou tkaninou s vysokou hustotou, povrch za vzniku hustej ochrannej vrstvy, účinne zabraňujte vysokovýkonným umývaním vzduchu a uvoľňovaním vlákien, znižujú uvoľňovanie nečistôt.

Viacvrstvový proces integrácie: jadrová vrstva je plsť uhlíkové vlákna a grafitový papier alebo uhlíková tkanina je zabudovaná do stredu. Po sekundárnom čistení vysokej teploty (≥ 2 000 ℃) je štruktúra materiálu zhustá a nečistoty sa hlboko odstránia.

Ultra nízka nečistota čistota

Obsah popola ≤ 10 ppm, zabezpečte, aby neexistovali žiadne kovové ióny, SIO₂ a iná prchavosť nečistôt vo vysokoteplotnom prostredí, vyhnite sa znečisťovaniu rozhrania rastového krytu, zlepšujte čistotu jednosmerného kryštálu karbidu kremíka a úrovne kontroly defektov 19.

Prispôsobiteľnosť procesu

Prispôsobené povrchové úpravy (ako napríklad povlak grafitovej fólie, povlak antioxidantu), vhodné pre prostredie vákua alebo inertného plynu (AR, N₂), prevádzkové teploty pokrývajúce 1200 ° C až 3000 ° C.

Parameter jadra

Aplikačné polia a výhody

Silikónový karbid s jednou kryštálovou pecou horúce pole Izolácia

Ako základný materiál izolačnej vrstvy pece môže znížiť tepelné straty, udržiavať gradient teplotného rozhrania rastového rozhrania (AT20-50 ℃/cm) a zabezpečiť, aby bol vyvážený rýchlosť axiálneho/radiálneho rastu kryštálov.

Používa sa s mäkkou plsťou na vytvorenie gradientovej izolačnej štruktúry, zníženie tepelného stresu a predĺžte životnosť tepelného poľa.

Konkurenčná výhoda

Tepelná stabilita: Nízky koeficient tepelnej expanzie (CTE <2 × 10⁻⁶/℃), vynikajúci odolnosť proti tepelnému nárazu, vhodný na opakované stúpajúce a chladiace podmienky.

Ekonomika: V porovnaní s tradičnými mäkkými plsami sa životnosť servisu zvyšuje o 3-5 krát, čím sa znižuje frekvencia výmeny horúcich polí a výrobných nákladov.

Prispôsobenie: Podporný valec, doska a ďalšie formy spracovania, rozmerová presnosť až do ± 0,5 mm, vhodná pre rôzne dizajn pecí.

Typický aplikačný prípad

Vákuová vysokotlaková plynná ochladzovacia pec: ako tepelný štít znížte spotrebu energie o viac ako 20%

Rast SIC Crystal Rast: pre 8-palcové kryštalické pece, odchýlka uniformity tepelného poľa <1,5%