Vodiaci prsteň z karbidu tantalum

Je to polovodičTantalum Carbide Guide Ringje vytvorený zgrafitapotiahnutý karbidom tantalu, kombinácia, ktorá využíva najlepšie vlastnosti oboch materiálov na zabezpečenie vynikajúcich výkonov a dlhovekosti.

TenNáter TACNa vodiacich kruhu karbidu Tantalum zaisťuje, že zostane chemicky inertný v reaktívnej atmosfére rastových pecí SIC, ktoré často zahŕňajú plyny ako vodík, argón a dusík. Táto chemická inerte je nevyhnutná na zabránenie akejkoľvek kontaminácie rastúceho kryštálu, čo by mohlo viesť k defektom a zníženiu výkonnosti konečných polovodičových výrobkov. Okrem toho tepelná stabilita poskytovaná povlakom TAC umožňuje vodiacemu kruhu vodiaceho kruhu karbidu Tantalum efektívne fungovať pri vysokých teplotách potrebných preRast kryštálov SIC, zvyčajne presahujúce 2000 ° C.

Okrem toho kombinácia grafitu a TAC v kruhu povlaku v tantale optimalizuje tepelné riadenie v rámci kryštálovej rastovej pece. Vysoká tepelná vodivosť grafitu účinne distribuuje teplo, bráni hotspotom a podporuje rovnomerný rast kryštálov. Medzitým povlaky karbidu tantalu slúži ako tepelná bariéra, ktorá chráni grafitové jadro pred priamym vystavením vysokým teplotám a reaktívnym plynom. Táto synergia medzi jadrovými a povlakovými materiálmi vedie k vodiacemu kruhu, ktorý odoláva nielen tvrdých podmienkach rastu kryštálov SIC, ale tiež zvyšuje celkovú účinnosť a kvalitu procesu.

Mechanické vlastnosti karbidu tektora Tantalum Vetek výrazne znižujú opotrebenie na kruhu povlaku karbidu tantalu. To je rozhodujúce kvôli opakujúcej sa povaheproces rastu kryštálov, ktorý odhaľuje vodiaci krúžok častým tepelným cyklom a mechanickým napätím. Tvrdosť a odolnosť proti opotrebeniu Tantalum karbidu zabezpečujú, aby vodiaci kruh zachoval svoju štrukturálnu integritu a presné rozmery po dlhých obdobiach, minimalizoval potrebu častých výmen a znižovanie prestoje vo výrobnom procese.

VETEK Semiconductor Tantalum Carbide Coating Ring je nevyhnutnou súčasťou v polovodičovom priemysle, špeciálne navrhnutý pre rastKryštály karbidu kremíka. Jeho dizajn využíva silné stránky karbidu grafitu a tantala, aby poskytoval výnimočný výkon vo vysokoteplotných a vysoko stresových prostrediach. Poter TAC zaisťuje chemickú inerte, mechanickú trvanlivosť a tepelnú stabilitu, z ktorých všetky sú rozhodujúce pre výrobu vysoko kvalitných kryštálov SIC. Udržiavaním svojej integrity a funkčnosti v extrémnych podmienkach podporuje vodiaci kruh efektívny a bezchybný rast kryštálov SIC, čo prispieva k rozvoju vysokovýkonných a vysokofrekvenčných polovodičových zariadení.

Tantalum karbid (TAC) povlaky na mikroskopickom priereze:

Fyzikálne vlastnosti povlaku TAC: