Vodiaci krúžok z pórovitého grafitu

Hlavné výhody produktu

1. Záruka ultra vysokej čistoty a nízkej chyby

Prijíma proces vákuového vysokoteplotného čistenia 3 000 ℃ na hlboké odstránenie nekovových nečistôt, ako je kyslík a dusík, čím sa zvyšuje čistota produktu na ≥ 99,9995 %. Odstraňuje nečistoty vyvolané kryštálové defekty (napr. mikrotubuly, dislokácie) zo zdroja, zaisťuje konzistenciu a stabilitu elektrických vlastností monokryštálov SiC a kladie pevný základ pre kvalitný rast kryštálov.

2. Stabilita pri ultra vysokej teplote a presná regulácia tepelného poľa

Vydrží extrémne vysoké teploty 2200 ℃ v prostredí argónu alebo vákua, nepretržite a stabilne pracuje viac ako 1 000 hodín bez zmäknutia alebo deformácie. Výrobok má nízky koeficient tepelnej rozťažnosti, ktorý môže účinne zabrániť praskaniu materiálu spôsobenému tepelným namáhaním. Podporuje návrh gradientovej distribúcie pórovitosti (15-30%) a optimalizuje veľkosť pórov (10-200 μm) v kombinácii so simulačnou technológiou CFD (Computational Fluid Dynamics), riadi kolísanie teplotného gradientu v rozmedzí ±3℃ a výrazne zlepšuje rovnomernosť tepelného poľa a konzistenciu rastu kryštálov.

3. Prispôsobenie na mieru a úplná spokojnosť so scenárom

• Prispôsobenie geometrického tvaru: Dokáže presne spracovať zložité tvary, ako sú prstencové sudy a viacvrstvové štítové štruktúry podľa štruktúr pecí zákazníkov, aby sa dosiahlo dokonalé prispôsobenie a inštalácia.
• Prispôsobenie povrchového procesu: Poskytuje personalizované služby povrchovej úpravy, ako je ultra presné leštenie a špeciálne nátery, čím sa výrazne zvyšuje odolnosť produktu proti korózii a životnosť.

4. Overený výkon a vylepšená účinnosť

• Pri použití ako súčasť jadrového tepelného poľa v procese kryštalizácie PVT SiC bolo overené v praktických scenároch:
• Rýchlosť rastu kryštálov je zvýšená o 15%-20% v porovnaní s tradičnými grafitovými produktmi, čo výrazne skracuje výrobný cyklus.
• Výťažok 4-palcových monokryštálových doštičiek SiC presahuje 90 %, čo efektívne znižuje výrobné náklady.
• Cyklus údržby zariadenia sa predlžuje z konvenčných 3 mesiacov na 6 mesiacov, čím sa znižuje frekvencia údržby odstávok a zlepšuje sa efektivita výroby.
  
  

Aplikačné scenáre

• Zostava rastovej pece PVT: Slúži ako základná zložka pre sublimáciu materiálu SiC a rast kryštálov, pričom poskytuje stabilné a rovnomerné rozloženie tepelného poľa, aby sa zabezpečil hladký priebeh procesu kryštalizácie.
• Komponent tepelného poľa: Jedinečná porézna štruktúra môže účinne tlmiť tepelné namáhanie, znižovať opotrebovanie zariadenia a predĺžiť celkovú životnosť zariadenia.
• Príslušenstvo na podporu zárodočných kryštálov: Má vysokú mechanickú pevnosť na stabilnú podporu zárodočných kryštálov a zabezpečuje presnosť smerového rastu kryštálov.
• Plynová difúzna vrstva: Optimalizuje účinnosť prenosu plynnej fázy, podporuje rovnomernú sublimáciu a ukladanie surovín a ďalej zlepšuje kvalitu a rýchlosť rastu monokryštálu.

Technické parametre

Hlavné súťažné vrcholy

• Výkon pri extrémne vysokých teplotách: Zachováva štrukturálnu stabilitu pri 2200 ℃ bez zmäknutia alebo deformácie, podporuje nepretržitú prevádzku viac ako 1 000 hodín, aby splnil extrémne požiadavky na proces.
• Prispôsobené riešenie tepelného poľa: Opiera sa o technológiu simulácie CFD na optimalizáciu návrhu gradientu pórov, presne zodpovedá procesným potrebám zákazníkov a zlepšuje rovnomernosť kryštálov a výťažok produktu.
• Služba rýchlej odozvy: Poskytuje testovacie služby na porovnávanie parametrov procesu a dodáva prototypové riešenia do 72 hodín, čo pomáha zákazníkom urýchliť výskum, vývoj a výrobné procesy.