Vysoko čistý SiC prášok na rast SiC kryštálov

1. Kľúčové vlastnosti

· Vysoká úroveň čistoty:Schopnosť čistoty dosahuje až 99,9999 % (trieda 6N).

· Ultranízke kovové nečistoty:Minimalizovaná kontaminácia stopovými kovmi optimalizovaná pre rast kryštálov SiC.

· Úplná transparentnosť:Úplné testovacie údaje GDMS (Glow Discharge Mass Spectrometry) dostupné pre každú šaržu.

· Stabilný tepelný výkon:Vysoko predvídateľné a rovnomerné sublimačné správanie počas rastu PVT.

· Riadená distribúcia veľkosti častíc:Granulometria sa starostlivo monitoruje, aby sa udržala konzistentná hustota balenia.

· Formulácie na mieru:Vlastné veľkosti častíc a distribučné krivky sú k dispozícii na požiadanie.

· Štandard kvality polovodičov:Striktne vyrábané podľa systémov riadenia kvality polovodičovej kvality.

2. Vizuály produktu

3. Technické špecifikácie

4. Aplikácie

· Rast kryštálov PVT SiC:Vodivé a poloizolačné SiC ingoty.

· Polovodičové substráty:Substrát plátku a surovina na epitaxné spracovanie.

· Špičkové tepelné komponenty:Pokročilé keramické komponenty a povlaky susceptorov.

· Výskumné a vývojové aplikácie:Výskum výkonovej elektroniky novej generácie a vysokofrekvenčné zariadenia.

5. Prečo si vybrať VeTek Semiconductor?

· Vlastné čistenie:Pokročilé purifikačné techniky poskytujúce až 6N čistotu pre rast monokryštálov.

· Prísna kontrola kvality:Špeciálne zabezpečenie kvality s prísnou kontrolou kontaminácie polovodičovej triedy.

· Flexibilita prispôsobenia:Flexibilné prispôsobenie veľkosti častíc pre rôzne špecifikácie téglika PVT pece.

· Stabilný dodávateľský reťazec:Spoľahlivá zásobovacia kapacita zaručujúca stabilné dlhodobé dodávky hromadnej výroby.

· Technická odbornosť:Kompletná technická podpora prispôsobená vašim špecifickým procesom rastu kryštálov.