CVD SiC potiahnutý grafitový susceptor pre nosič plátku

1. Výhody produktu

• Materiál vysokej čistoty:Grafitový materiál polovodičovej kvality a hustá štruktúra povlaku SiC minimalizujú riziká kontaminácie a zlepšujú spoľahlivosť grafitového susceptora CVD s povlakom SiC.
• Vynikajúca tepelná rovnomernosť:Optimalizovaná grafitová štruktúra a SiC povlak poskytujú stabilný prenos tepla a rovnomernú reguláciu teploty plátku.
• Vynikajúca chemická odolnosť:Hustý povlak SiC ponúka silnú odolnosť voči procesným plynom a korozívnemu prostrediu.
• Dlhá životnosť:Vysoká tvrdosť a odolnosť proti opotrebeniu zlepšujú trvanlivosť v podmienkach epitaxie pri vysokej teplote.
• Nízka tvorba častíc:Hustý povrch CVD SiC znižuje uvoľňovanie častíc a zlepšuje spoľahlivosť procesu plátku.
• Možnosť prispôsobeného dizajnu:Dostupné v rôznych veľkostiach, štruktúrach a konfiguráciách podľa požiadaviek na vybavenie.

2. Technické špecifikácie

3. Aplikácie

• Proces epitaxie SiC:Grafitový susceptor sa používa ako nosič plátku v zariadení na epitaxiu SiC, ktorý podporuje substráty SiC počas vysokoteplotného epitaxného rastu.
• Proces silikónovej epitaxie:Používa sa v kremíkových epitaxných reaktoroch na podporu doštičiek a udržiavanie stabilných tepelných podmienok.
• Epitaxia MOCVD:Grafitové susceptory VETEK sú vhodné pre MOCVD, LED epitaxiu, GaN epitaxiu, kremíkovú epitaxiu a iné výrobné procesy polovodičov vyžadujúce vynikajúcu tepelnú rovnomernosť a chemickú stabilitu.
• Zariadenia na výrobu polovodičov:Kompatibilné s rôznymi platformami epitaxie, vrátane LPE horizontálnych pecí, Aixtron, NuFlare a súvisiacich polovodičových zariadení.

4. Prečo si vybrať VETEK?

VETEK poskytuje prispôsobené riešenia grafitových susceptorov potiahnutých CVD SiC, ktoré integrujú čistenie grafitu, presné obrábanie, CVD povlak a možnosti kontroly. Naše produkty s grafitovými susceptormi na úrovni polovodičov sa vyznačujú vysokou čistotou, rovnomernou hrúbkou povlaku, vynikajúcim tepelným výkonom a dlhou životnosťou pre náročné aplikácie nosičov doštičiek.