Krycí krúžok z grafitového plátku potiahnutý TaC

Hlavné technické výhody

• Výnimočná chemická odolnosť: Navrhnuté tak, aby odolali drsným leptacím plynom (H2, NH3, HCl) pri teplotách medzi 1200 °C a 2000 °C.

• Prispôsobenie tepelnej rozťažnosti: Náš vlastný proces CVD zaisťuje, že povlak TaC má optimalizovanú zhodu CTE (koeficient tepelnej rozťažnosti) s grafitovým substrátom, čím zabraňuje odlupovaniu alebo praskaniu počas rýchleho tepelného cyklovania.

• Vynikajúca kontrola častíc: Úplným utesnením porézneho grafitu vrstva TaC eliminuje uvoľňovanie častíc, priamo zvyšuje výťažok plátku a znižuje prestoje reaktora.

• Predĺžená životnosť: Povrch s vysokou odolnosťou voči opotrebovaniu, ktorý odoláva opakovaným čistiacim cyklom a ponúka výrazne nižšie náklady na vlastníctvo (CoO) v porovnaní s alternatívami bez povrchovej úpravy alebo s povrchovou úpravou SiC.

Povlak karbidu tantalu (TaC) na mikroskopickom priereze

Parametre produktu TaC potiahnutého grafitového krycieho krúžku

Prečo si vybrať naše krycie krúžky TaC?

Chápeme, že pri výrobe polovodičov sa spoľahlivosť rovná ziskovosti. Naše grafitové krycie krúžky s povlakom TaC sú dávkovo testované na hustotu a čistotu povlaku. Či už prechádzate zo 6-palcovej na 8-palcovú výrobu plátkov alebo optimalizujete vysokoteplotný proces MOCVD, naše prstence poskytujú tepelné a chemické tienenie potrebné pre epitaxiu svetovej triedy.