Správy

V ére rýchleho technologického rozvoja 3D tlač ako dôležitý predstaviteľ pokročilých výrobných technológií postupne mení tvár tradičnej výroby. Vďaka nepretržitej zrelosti technológie a znížením nákladov ukázala technológia 3D tlače široké vyhliadky na aplikáciu v mnohých oblastiach, ako je letectvo, výroba automobilov, lekárske vybavenie a architektonický dizajn, a podporoval inovácie a rozvoj týchto odvetví.

Samotné materiály s jedným kryštálom nemôžu uspokojiť potreby rastúcej výroby rôznych polovodičových zariadení. Na konci roku 1959 sa vyvinula tenká vrstva technológie rastu jednorazového materiálu - epitaxiálny rast.

Karbid kremíka je jedným z ideálnych materiálov na výrobu vysokofrekvenčných, vysokofrekvenčných zariadení s vysokým výkonom a vysokým výkonom. Aby sa zlepšila efektívnosť výroby a zníženie nákladov, je dôležitým smerom vývoja príprava veľkých kremíkových karbidových substrátov.

Podľa zahraničných správ dvom zdrojom 24. júna odhalili dva zdroje, že spoločnosť Bytedance spolupracuje s americkou spoločnosťou Design Company Broadcom na vývoji pokročilého umelého inteligencie (AI) spracovateľa, ktorý pomôže Bytedance zabezpečiť primeranú ponuku špičkových čipov uprostred napätia medzi Čínou a Spojené štáty.

Ako popredný výrobca v odvetví SIC sa v tomto odvetví venovala rozsiahla pozornosť Dynamics spoločnosti SANAN Optoelectronics. Spoločnosť Sanan Optoelectronics nedávno zverejnila sériu najnovších vývojov, ktoré zahŕňali 8-palcovú transformáciu, výrobu nových tovární na substráty, založenie nových spoločností, vládne dotácie a ďalšie aspekty.

V raste jednotlivých kryštálov SIC a ALN pomocou metódy fyzického transportu pary (PVT) zohrávajú dôležitú úlohu rozhodujúce zložky, ako je téglika, držiak semien a vodiaci kruh. Ako je znázornené na obrázku 2 [1], počas procesu PVT je kryštál semien umiestnený v oblasti nižšej teploty, zatiaľ čo surovina SIC je vystavená vyšším teplotám (nad 2400 °).