Súčiastky planétového reaktora Aixtron G10 z pevného SiC

1. Kľúčové vlastnosti a výhody

• Plne hustá, pevná štruktúra SiC bez obsahu spojiva pre vynikajúcu odolnosť proti opotrebovaniu a korózii

• Vynikajúca tepelná vodivosť a odolnosť proti tepelným šokom pri teplotách nad 1500 °C

• Ultra nízka tvorba častíc a vysoká čistota, minimalizujúce riziko kontaminácie

• Vynikajúca chemická inertnosť voči procesným plynom používaným v SiC epitaxii

• Dlhá životnosť pri opakovanom vysokoteplotnom cyklovaní

• Presne opracované s úzkymi rozmerovými toleranciami pre spoľahlivé lícovanie a stabilitu procesu

 2. Typické aplikácie

Toto príslušenstvo Solid SiC sa používa v kľúčových funkčných oblastiach reaktora Aixtron G10, vrátane:

• Krycie dosky a vybrané krycie prvky

• Ochranné krúžky a komponenty s vysokým opotrebovaním

• Presné kolíky, podložky a malé konštrukčné diely

• Iné zákazkové vysoko čisté vložky vystavené intenzívnemu prúdeniu plynu alebo tepelnému zaťaženiu

Podporujú stabilnú distribúciu teploty, rovnomerné dodávanie plynu a nízku hustotu defektov počas veľkoobjemového epitaxného rastu SiC pre výkonové MOSFETy, diódy a súvisiace zariadenia so širokým pásmom.

3. Prečo zvoliť VeTek Solid SiC pre Aixtron G10?

Ako špecializovaný výrobca materiálov polovodičovej kvality, VeTek Semiconductor poskytuje:

• Vysoko čisté pevné SiC komponenty prispôsobené pre systémy Aixtron G10, napríklad: Krycí krúžok，Vnútorné/vonkajšie kryty，sťahovacia/podporná doska，Satelitný disk，susceptor

• Prísna kontrola čistoty a presné CNC obrábanie

• Doplnkové riešenia vrátane CVD SiC potiahnutých grafitových a TaC potiahnutých dielov pre kompletné pokrytie tepelného poľa

• Zákazkové návrhy prispôsobené špecifickým procesným podmienkam a konfiguráciám reaktora

Naše príslušenstvo Solid SiC pomáha zákazníkom maximalizovať výhody produktivity platformy Aixtron G10 – vysoký výkon plátku, vynikajúca hrúbka a rovnomernosť dopingu a konkurencieschopné náklady na vlastníctvo – a zároveň predlžuje životnosť komponentov a znižuje straty na výnose súvisiace s časticami.